Cựu nhân viên Samsung bị bắt vì tuồn công nghệ DRAM 10nm tỷ đô

bởi Phát Lâm

Các cựu nhân viên của gã khổng lồ công nghệ Samsung đang nhanh chóng biến công ty này thành một “chiếc sàng công nghệ” theo đúng nghĩa đen, khi liên tiếp để lộ các bí mật bán dẫn quan trọng cho đối thủ nước ngoài thông qua hàng loạt vụ rò rỉ sở hữu trí tuệ được tính toán kỹ lưỡng. Mới đây nhất, chỉ vài tháng sau khi một cựu nhân viên phải nhận bản án hình sự kỷ lục vì làm lộ bí mật DRAM 18nm, các cơ quan chức năng lại tiếp tục phanh phui một vụ việc chấn động khác. Một nhóm bao gồm các cựu giám đốc điều hành và nhân viên cũ của Samsung đã bị cáo buộc dính líu đến việc chuyển giao trái phép công nghệ DRAM 10nm tiên tiến cho công ty CXMT của Trung Quốc.

Cựu nhân viên Samsung và âm mưu đánh cắp bí mật công nghệ

Theo những thông tin được báo cáo bởi tờ The Elec của Hàn Quốc, Phòng Điều tra Tội phạm Công nghệ Thông tin thuộc Văn phòng Công tố Quận Trung tâm Seoul đã tiến hành bắt giữ một giám đốc đương nhiệm của công ty Changshin Memory Technology (CXMT) tại Trung Quốc. Người này bị buộc tội vi phạm nghiêm trọng các quy định của quốc gia theo Đạo luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp. Điều đáng chú ý ở đây là vị giám đốc của CXMT này thực chất là một cựu nhân viên của Samsung, người được cho là đã đóng vai trò then chốt trong việc phát triển công nghệ DRAM 10nm cho phía công ty Trung Quốc.

Bên cạnh nhân vật chủ chốt này, cơ quan điều tra cũng đã bắt giữ thêm 4 cá nhân khác hiện đang làm việc tại CXMT. Các công tố viên cáo buộc rằng công ty Trung Quốc này đã xây dựng một kế hoạch cực kỳ tinh vi để đốt cháy giai đoạn trong quy trình sản xuất DRAM 10nm bằng cách chiêu mộ các nhân tài chủ chốt từ đối thủ. Để thực hiện điều này, cuộc điều tra đã hé lộ rằng CXMT thậm chí đã sử dụng một công ty bình phong để dụ dỗ và tuyển dụng các cựu nhân viên của Samsung nhằm che mắt các cơ quan chức năng.

Cựu nhân viên Samsung bị bắt vì tuồn công nghệ DRAM 10nm tỷ đô

Trong quá trình mở rộng điều tra, các công tố viên đã phát hiện ra những chi tiết gây sốc. Cụ thể, chỉ riêng một cựu nhân viên Samsung đã thực hiện hành vi rò rỉ thông tin về hàng trăm bước trong quy trình xử lý, thậm chí còn trực tiếp chỉnh sửa và xác minh các thông tin này cho phía đối thủ. Hành động này đã dẫn đến việc Trung Quốc lần đầu tiên sản xuất hàng loạt thành công loại chip nhớ DRAM này vào năm 2023. Chưa dừng lại ở đó, một cựu nhân viên khác của Samsung, người đã chuyển sang làm việc cho CXMT từ năm 2016, cũng bị phát hiện đã tuồn một lượng lớn thông tin về công nghệ DRAM dưới dạng các bản viết tay cho gã khổng lồ bộ nhớ Trung Quốc.

Thiệt hại hàng tỷ đô la và sự trỗi dậy của CXMT Trung Quốc

Để độc giả dễ hình dung về mức độ nghiêm trọng của vụ việc, cần phải hiểu rằng quy trình sản xuất DRAM 10nm là một lĩnh vực cực kỳ cạnh tranh và khó khăn. Ngay cả một ông lớn khác của Hàn Quốc là SK Hynix cũng chỉ mới bắt đầu sản xuất hàng loạt quy trình DRAM 10nm thế hệ thứ sáu vào cuối năm 2024. Bản thân Samsung đã phải đầu tư một khoản tiền khổng lồ lên tới 1,6 nghìn tỷ won (tương đương khoảng 1,08 tỷ USD) trong suốt 5 năm ròng rã mới có thể phát triển thành công công nghệ DRAM 10nm của riêng mình.

Các công tố viên Hàn Quốc đã nhấn mạnh trong báo cáo của mình rằng CXMT là công ty bán dẫn DRAM đầu tiên và duy nhất của Trung Quốc nhận được khoản đầu tư lên tới 2,6 nghìn tỷ won từ chính quyền địa phương. Tuy nhiên, thay vì tự nghiên cứu, công ty này đã sử dụng gian lận các công nghệ cốt lõi tốt nhất thế giới của Hàn Quốc trong toàn bộ quá trình phát triển sản phẩm của họ. Hậu quả của những vụ rò rỉ cấp cao này là vô cùng lớn, với ước tính thiệt hại đối với vị thế cạnh tranh của Hàn Quốc hiện đã lên tới hàng nghìn tỷ won (tương đương hàng tỷ USD).

Vụ việc này diễn ra trong bối cảnh Tòa án Quận Trung tâm Hàn Quốc vừa tuyên phạt một cựu trưởng nhóm của Samsung mức án 7 năm tù giam vào tháng 2 năm 2025 vì tội làm lộ bí mật thương mại liên quan đến công nghệ DRAM 18nm cho chính CXMT. Những hành động đánh cắp chất xám này đã giúp CXMT vươn lên trở thành nhà sản xuất bán dẫn bộ nhớ lớn nhất Trung Quốc. Tính đến cuối năm 2025, công ty này đã có khả năng sản xuất các sản phẩm tiên tiến như DDR5 và HBM3, với sản lượng lên tới 280.000 tấm wafer mỗi tháng, chiếm khoảng 15% tổng sản lượng DRAM toàn cầu, đe dọa trực tiếp đến thị phần của các doanh nghiệp Hàn Quốc.

Bài viết liên quan

Đăng bình luận